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制全c）在Vds =1V时原始SnS2的Id–Vg输出特性曲线。国重国网公司图3 SnS2器件的电子测量a）SnS2 FETs的横截面示意图。d）在300~900nm的Vd =2V时，访问经O2等离子体处理的SnS2器件的时间分辨宽带光响应。

【小结】综上所述，集团提出了采用强O2等离子体处理的增强型SnS2器件。然而，新型系统新源SnS2的固有缺陷是硫空位，新型系统新源这些固有缺陷阻碍了其光学吸收，引起费米能级钉扎效应（引起金属接触电阻等），从而使其无法在光电器件应用中充分发挥其潜在的性能。

SnS2光电探测器显示出高达261AW−1的光响应度和230cm2 V-1 s-1的载流子迁移率，电力点实因此使其成为电子和光电应用中有希望的候选者。

b）O-SnS2体系的电子电荷密度差，运行控验室行有限其中Sn、S和O原子分别用红球、黄球和淡蓝球表示。2011年入选汤森路透集团发布的2000-2010年全球顶尖100化学家名人堂榜单和全球顶尖100材料学家名人堂榜单，制全9月获得2010年度美国青年科学家总统奖。

曾获得包括美国自然科学基金会（NSF）职业发展奖、国重国网公司美国Cottrell学者奖、美国3M公司青年教授奖、美国中美化学教授联合会杰出青年教授奖等诸多奖项。随后在加州大学圣塔芭芭拉分校（UniversityofCaliforniaatSantaBarbara）生物化学系做博士后研究，访问合作导师：Prof.GalenD.Stucky。

1998年就读于哈佛大学研究生院，集团师从查尔斯•理博（CharlesM.Lieber）教授。中科大建校以来的传统：新型系统新源为国家输送如两弹一星工程一般的国家尖端科技人才，新型系统新源为此中科大多年来在物理、化学、数学等学科搭建起了学术天梯，鼓励有潜质的学生不断挖掘潜力，攀爬高峰。